전력 반도체 장치 시장 규모와 점유율은 2023년 약 410억 달러 규모에 달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 약 4%의 연평균 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 또한 연구 분석에 따르면 글로벌 전력 반도체 장치 시장은 2035년까지 약 680억 달러에 달할 것으로 예상된다.

전력 반도체 소자는 에너지를 한 형태에서 다른 형태로 다상 변환하는 전력 전자 회로 기계에 사용되는 부품이다. 이 부품은 게르마늄, 실리콘 카바이드 (Sic), 질화 갈륨 (GaN) 등의 원료로 구성된다. 전력 반도체 소자는 위성 시스템, 무선 통신, 컴퓨터 시스템, 전기 구동 장치의 고급 제어, 안테나, 광대역 무선 기술 등 다양한 분야에 응용되고 있다.

2021년 3월, 오메가와 알파반도체는 1200V SiC MOSFET 신제품을 발표했다. 이 제품은 AEC-Q101 인증을 받았으며 온보드 및 오프보드 충전, 모터 구동 인버터, 전기 자동차 등 신뢰할 수 있고 효율적인 애플리케이션에 사용할 수 있다.

2021년 4월, 전력 반도체 장치 넥스페리아는 2KW 이상에서 작동하는 650V 정격 650V 2세대 GAN FET를 발표했다. 성능과 정격 면에서 다른 세대의 장치를 능가한다.

2022년 2월, 일본 전력 반도체 장치 회사인 미쓰비시는 가전제품을 위해 특별히 설계된 저열 저항, 저소음의 새로운 반도체 SLIMDIP-X를 개발했다. 미쓰비시는 산업 자동화 분야에서 29%의 시장 점유율을 차지하고 있다.

당사의 전력 반도체 장치 시장 분석에 따르면, SiC 장치는 구동 요구 사항으로 인해 SiC 장치의 사용 목적은 절연 게이트 양극성 트랜지스터를 대체하는 것이다. 그러나 SiC 기반 장치와 IGBT의 구동 요구 사항에는 큰 차이가 있다. 대부분의 트랜지스터는 일반적으로 대칭 레일이 필요하다. 반대로 SiC 장치는 소량의 음전하를 완전히 차단해야 하기 때문에 비대칭 레일을 사용한다. 이 때문에 추가 DC-DC 드라이버 또는 3개의 연결이 있는 특수 배터리가 필요하기 때문에 휴대용 기기의 사용에 영향을 미칠 수 있다.

전력 반도체는 매우 복잡한 장치로 설계와 제조에 고도의 기술적 전문 지식이 필요하다. 그 결과 전문가가 부족해 시장 성장을 저해하고 있다.

전력반도체 제조에는 SiC, 질화갈륨 등 고가의 원재료가 필요해 최종 제품 가격이 상승한다. 이 때문에 이들 소자를 채택하는 중소기업은 제한적이며, 전력 반도체 소자의 시장 규모는 제한적이다.

전력 반도체 소자 시장의 주요 업체 및 제조업체로는 Texas Instruments Inc, Infineon Technologies AG, NXP Semiconductor NV, Toshiba Electronic Devices & Storage Co. Qualcomm Incorporated, ST Microelectronics NV, Intel Corporation, United Silicon Carbide Inc, Alpha and Omega Semiconductors, Renesas Electronics, GaN Systems Inc, Panasonic Corp, GaN Systems Inc, 파나소닉(Panasonic Corporation), 미쓰비시전기(Mitsubishi Electric Corporation), 브로드컴(Broadcomm Inc), 후지전기(Fuji Electric Corporation), 크리어(Cree Inc), 로옴(Rohm Corporation), 마이크로칩테크놀로지(Microchip Technology Inc.) 등이다. 이 보고서에는 세계 전력 반도체 디바이스 시장의 주요 기업들에 대한 상세한 경쟁 분석, 기업 프로필, 최근 동향, 주요 시장 전략 등이 수록되어 있다.

이 보고서에 대한 자세한 내용은 여기를 참조하십시오: https://www.sdki.jp/reports/power-semiconductor-devices/59324